生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TBGA, |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.73 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B24 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 105 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 并行/串行: | SERIAL |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14V101QS-SE108XI | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 |
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CY14V101QS-SE108XI | INFINEON |
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nvSRAM (non-volatile SRAM) |
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CY14V101QS-SE108XIT | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 |
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CY14V101QS-SE108XQ | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 |
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CY14V101QS-SE108XQ | INFINEON |
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nvSRAM (non-volatile SRAM) |
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CY14V101QS-SE108XQT | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 |
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CY14V101QS-SE108XQTR | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.413 X 0.299 INCH, 0.0932 INCH HEIGHT, LEAD FREE |
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CY14V101QS-SF108XI | CYPRESS |
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Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 |
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CY14V101QS-SF108XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) |
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CY14V101QS-SF108XIT | CYPRESS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 |
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