Datasheet > CY14V101QS-SF108XQ

CY14V101QS-SF108XQ

更新时间： 2024-11-05 19:43:59

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
60页	1031K
描述
Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY14V101QS-SF108XQ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.69	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
长度：	10.2865 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	16
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	座面最大高度：	2.667 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.4925 mm
Base Number Matches：	1

CY14V101QS-SF108XQ 数据手册

浏览型号CY14V101QS-SF108XQ的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号CY14V101QS-SF108XQ的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号CY14V101QS-SF108XQ的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号CY14V101QS-SF108XQ的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号CY14V101QS-SF108XQ的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号CY14V101QS-SF108XQ的Datasheet PDF文件第7页

PRELIMINARY

CY14V101QS

1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM

■ Recall from nonvolatile SONOS FLASH Quantum Trap to

SRAM

Features

■ Density

❐ 1 Mbit (128K × 8)

❐ Auto RECALL: Initiated automatically at power-up

❐ Software: Using SPI instruction (RECALL)

■ Bandwidth

■ Low-power modes

❐ 108-MHz high-speed interface

❐ Read and write at 54 Mbps

❐ Sleep: Average current = 280 µA at 85 °C, 500 µA at 105 °C

❐ Hibernate: Average current = 8 µA at 85 °C, 10 µA at 105 °C

■ Serial Peripheral Interface

❐ Clock polarity and phase modes 0 and 3

■ Operating supply voltages

❐ Core V_CC: 2.7 V to 3.6 V

❐ Multi I/O option – Single SPI (SPI), Dual SPI (DPI), and Quad

❐ I/O V_CCQ: 1.71 V to 2.0 V

SPI (QPI)

■ Temperature range

❐ Extended Industrial: –40 °C to 105 °C

❐ Industrial: –40 °C to 85 °C

■ High reliability

❐ Infinite read, write, and RECALL cycles

❐ One million STORE cycles to nonvolatile elements (SONOS

FLASH Quantum trap)

■ Packages

❐ 16-pin SOIC

❐ 24-ball FBGA

❐ Data retention: 20 years at 85 °C

■ Read

❐ Commands: Normal, Fast, Dual I/O, and Quad I/O

❐ Modes: Burst Wrap, Continuous (XIP)

Functional Overview

■ Write

The Cypress CY14V101QS combines a 1-Mbit nvSRAM in a

monolithic integrated circuit with a QPI interface. The QPI allows

writing and reading the memory in either a single (one I/O

channel for one bit per clock cycle), dual (two I/O channels for

two bits per clock cycle), or quad (four I/O channels for four bits

per clock cycle) through the use of selected opcodes.

❐ Commands: Normal, Fast, Dual I/O, and Quad I/O

❐ Modes: Burst Wrap, Continuous (XIP)

■ Data protection

❐ Hardware: Through Write Protect Pin (WP)

❐ Software: Through Write Disable instruction

❐ Block Protection: Status Register bits to control protection

The memory is organized as 128K words of eight bits each

consisting of SRAM and nonvolatile SONOS FLASH Quantum

Trap cells. The SRAM provides infinite read and write cycles,

while the nonvolatile cells provide highly reliable nonvolatile

storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile

cells (STORE operation) take place automatically at

power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from

the nonvolatile cells (RECALL operation). You can also initiate

the STORE and RECALL operations through SPI instruction.

■ Special instructions

❐ STORE/RECALL: Access data between SRAM and

Quantum Trap

❐ Serial Number: 8-byte customer selectable (OTP)

❐ Identification Number: 4-byte Manufacturer ID and Product

■ Store from SRAM to nonvolatile SONOS FLASHQuantum Trap

❐ AutoStore: Initiated automatically at power-down with a small

capacitor (V_CAP

)

❐ Software: Using SPI instruction (STORE)

❐ Hardware: HSB pin

Errata: For information on silicon errata, see “Errata” on page 55. Details include trigger conditions, devices affected, and proposed workaround.

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-85257 Rev. *H

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised July 24, 2015

12 3 4 5 6 7...60

中文翻译

下载PDF

与CY14V101QS-SF108XQ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14V101QS-SF108XQT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16
CY14V101QS-SF108XQTR	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.413 X 0.299 INCH, 0.0932 INCH HEIGHT, LEAD FREE
CY14V104LA	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA25XI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA25XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104LA-BA25XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA25XIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104LA-BA45XI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA45XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104LA-BA45XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times

与CY14V101QS-SF108XQ相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14V101QS-SF108XQ

CY14V101QS-SF108XQ 技术参数

CY14V101QS-SF108XQ 数据手册

与CY14V101QS-SF108XQ相关器件

与CY14V101QS-SF108XQ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CY14V101QS-SF108XQ

CY14V101QS-SF108XQ 技术参数

CY14V101QS-SF108XQ 数据手册

与CY14V101QS-SF108XQ相关器件

与CY14V101QS-SF108XQ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？