生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ44,.44 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.8 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J44 |
长度: | 28.58 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ44,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.75 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BICMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CXK5B16120TM10 | SONY |
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Standard SRAM, 64KX16, 10ns, PDSO44 | |
CXK5B16120TM-12 | SONY |
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65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM | |
CXK5B18120J-12 | ETC |
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x18 SRAM | |
CXK5B18120TM- | SONY |
获取价格 |
65536-word x 18-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM | |
CXK5B18120TM-12 | SONY |
获取价格 |
65536-word x 18-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM | |
CXK5B41020TM- | SONY |
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262144-word x 4-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM | |
CXK5B41020TM-12 | SONY |
获取价格 |
262144-word x 4-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM | |
CXK5B81020J | SONY |
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131072-word ⅴ 8-bit High Speed Bi-CMOS Static | |
CXK5B81020J/TM-12 | ETC |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM | |
CXK5B81020J-12 | SONY |
获取价格 |
131072-word ⅴ 8-bit High Speed Bi-CMOS Static |