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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSOP, TSOP44,.46,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.88 |
| 最长访问时间： | 10 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.26 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK5B16120TM-12 | SONY |
获取价格 |
65536-word X 16-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B18120J-12 | ETC |
获取价格 |
x18 SRAM |
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| CXK5B18120TM- | SONY |
获取价格 |
65536-word x 18-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B18120TM-12 | SONY |
获取价格 |
65536-word x 18-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B41020TM- | SONY |
获取价格 |
262144-word x 4-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B41020TM-12 | SONY |
获取价格 |
262144-word x 4-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B81020J | SONY |
获取价格 |
131072-word ⅴ 8-bit High Speed Bi-CMOS Static |
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| CXK5B81020J/TM-12 | ETC |
获取价格 |
131072-word x 8-bit High Speed Bi-CMOS Static RAM |
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| CXK5B81020J-12 | SONY |
获取价格 |
131072-word ⅴ 8-bit High Speed Bi-CMOS Static |
|
| CXK5B81020JM-12 | SONY |
获取价格 |
131072-word ⅴ 8-bit High Speed Bi-CMOS Static |
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