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CURMT102-HF

更新时间： 2024-09-10 09:39:03
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 二极管快恢复二极管超快恢复二极管
页数 文件大小 规格书
4页 165K
描述
Low Profile SMD Ultra Fast Recovery Rectifiers

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CURMT102-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：25 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：100 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

CURMT102-HF 数据手册

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Low Profile SMD Ultra Fast Recovery Rectifiers  
SMD Diodes Specialist  
CURMT101-HF Thru. CURMT107-HF  
Reverse Voltage: 50 to 1000 Volts  
Forward Current: 1.0 Amp  
RoHS Device  
Halogen Free  
SOD-123H  
Features  
0.146(3.7)  
0.130(3.3)  
-Excellent power dissipation offers better reverse  
0.012(0.3) Typ.  
leakage current and thermal resistance.  
-Low profile package is 40% thinner than standards  
SOD-123.  
-Tiny plastic SMD package.  
0.071(1.8)  
0.055(1.4)  
-High current capability.  
-Ultrafast recovery time for high efficiency.  
-High surge current capability.  
-Glass passivated chip junction.  
-Lead-free part meets RoHS requirments.  
0.040(1.0)  
0.024(0.6)  
Mechanical data  
-Epoxy: UL94-V0 rated flame retardant.  
-Case: Molded plastic, SOD-123H/MINI SMA  
-Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026.  
-Polarity: Indicated by cathode band.  
-Mounting Position: any  
0.031(0.8) Typ.  
0.031(0.8) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
-Weight: 0.011 grams approx.  
Maximum Ratings (at TA=25°C unless otherwise noted)  
CURMT CURMT CURMT CURMT CURMT CURMT CURMT  
Symbol  
Parameter  
Max. Repetitive peak reverse voltage  
Max. Continuous reverse voltage  
Max. RMS voltage  
Unit  
V
101-HF  
50  
102-HF  
103-HF  
104-HF  
105-HF  
106-F  
107-HF  
VRRM  
VR  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
280  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VRMS  
V
Max. Forward rectified current  
Ambient temperature=50°C  
IO  
1.0  
A
Max. Forward voltage  
@ IF=1.0A  
VF  
1.00  
1.30  
1.70  
75  
V
Max. Reverse recovery time (note 1)  
ns  
TRR  
50  
Max. Forward surge current  
8.3ms singe half sine-wave superimposed  
on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
IR  
25  
A
VR=VRRM TJ=25°C  
VR=VRRM TJ=100°C  
5.0  
μA  
Max. Reverse current  
150  
Typ. Thermal resistance  
Junction to ambient air  
RθJA  
42  
70  
°C/W  
pF  
Typ. Diode Junction capacitance  
f=1MHz and applied 4V DC reverse voltage  
CJ  
Operating junction temperature  
Storage temperature range  
TJ  
-55 to +150  
-65 to +175  
°C  
°C  
TSTG  
Note 1. Reverse recovery time test condition,IF=0.5A,IR=1.0A,IRR=0.25A  
REV: A  
Page 1  
QW-JU004  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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