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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CSB1065N
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CSB1065N

更新时间： 2024-11-08 03:26:59
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 138K
描述
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR

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CSB1065N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.71
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：56
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：70 MHz
Base Number Matches：1

CSB1065N 数据手册

 浏览型号CSB1065N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSB1065N的Datasheet PDF文件第3页 
Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR  
CSB1065  
TO126  
Plastic Package  
E
C
B
Complementary CSD1506  
Low Frequency Power Amplifier  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
Collector Base Voltage(open emitter)  
Collector Emitter Voltage (open base)  
>60  
>50  
V
V
Emitter Base Voltage(open collector)  
Collector Current (DC)  
>5.0  
<3.0  
V
A
IC  
Collector Current (Pulse) (1)  
Total Power Dissipation@ Tc=25°C  
Total Power Dissipation@ Ta=25°C  
Junction Temperature  
<4.5  
A
Ptot  
<10  
W
Ptot  
<1.2  
W
OC  
OC  
Tj  
<150  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
µA  
ICBO  
IE =0, VCB =40V  
Collector-Cut off Current  
1.0  
µA  
IEBO  
VEB =4V, IC =0  
Emitter cut off Current  
Breakdown Voltages  
1.0  
VCEO IC =1mA, IB =0  
VCBO IC =50µA, IE =0  
50  
60  
5
V
V
V
V
V
IC =0, IE =50µA  
IC=2A, IB=0.2A  
*
VEBO  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
Saturation Voltages  
1
*
1.5  
hFE*  
IC=0.5A,VCE=3V**  
IE =0, VCB =10V  
IC=0.5A, VCE=5V  
DC Current Gain  
56  
390  
CO  
fT*  
Output Capacitance at f=1MHz  
Transition Frequency  
50  
70  
pF  
MHz  
(1) Single Pulse PW = 100ms  
* Pulse test  
**hFE classification : N :56-120 Q:120-270 P: 82-180 R:180-390  
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
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123

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