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CSA950

更新时间: 2024-09-19 22:40:59
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
PNP Planar Epitaxial Transistor

CSA950 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.52
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):35
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):265极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):120 MHz
Base Number Matches:1

CSA950 数据手册

 浏览型号CSA950的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
CSA950  
TECHNICAL SPECIFICATION  
PNP Planar Epitaxial Transistor  
TO-92  
DIM MIN MAX  
A
B
C
D
E
F
4.32  
4.45  
3.18  
0.41  
0.35  
5.33  
5.2  
4.19  
0.50  
0.50  
5
5
G
H
K
1.14  
1.40  
1.14  
1.53  
-
12.70  
1. BASE  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
Absolute Maximun Ratings (Ta=25oC)  
Symbol  
VCEO  
Ratings  
30  
Unit  
V
Collector-Emmiter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector current  
VCBO  
35  
V
VEBO  
IC  
5
V
800  
800  
600  
mA  
mA  
mW  
°C  
Emitter Current  
IE M  
PC  
Collector Power Dissipation  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T Tstg  
j
-50 to +150  

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