CSA950Y

更新时间： 2024-09-19 22:26:55

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描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR Audio Power Amplifier Application

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CSA950Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

CSA950Y 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CSA950

TO-92

Plastic Package

Complementary CSC2120

Audio Power Amplifier Application.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

800

ºC

I_E

Emitter Current

800

P_C

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

600

T_j, T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

UNIT

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

Collector Emitter Voltage

Collector Cut off Current

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

I_CBO

I_EBO

V_CB=35V, I_E= 0

V_EB=5V, I_C= 0

0.1

320

h_{FE (1)}V_CE=1V,I_C=100mA

h_{FE (2)}V_CE=1V,I_C=700mA

V_CE(sat)* I_C=500mA,I_B=20mA

100

Collector Emitter Saturation Voltage

CSA950

CSC2120

0.7

0.5

V_{BE (on)}

V_CE= 5V, I_C= 10mA

I_C=10mA, V_CE=5V

Base Emitter On Voltage

Transition Frequency

0.5

0.8

f_T

120

MHz

C_ob

V_CB=10V, I_E=0

f=1MHz

Collector Output Capacitance

CSA950

CSC2120

CLASSIFICATION h_{FE (1)}

O : 100-200

Y : 160-320

*Pulse Condition: Width < 300ms, Duty Cycle < 2%.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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