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CSA952M

更新时间： 2024-11-07 22:28:47

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描述
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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CSA952M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	90
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

CSA952M 数据手册

IS/ISO 9002

IS / IECQC 700000

Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

CSA952

(9AW)

TO-92

BCE

MARKING : AS BELOW

Audio Frequency Power Amplifier.

Complementary CSC2001

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICP**

Ptot

Tj, Tstg

VALUE

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Peak)

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

5.0

700

1.0

600

deg C

-55 to +150

**PW=10ms, duty cycle=50%

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

Collector Cut off Current

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

TYP

MAX

100

1.0

100

400

0.7

0.6

1.2

UNIT

ICBO

VCB=30V, IE=0

ICEO

VCE=25V, IB=0

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

IEBO

VEB=5V, IC=0

hFE (1)

hFE (2)

VBE(on)

VCE=1V, IC=100mA*

VCE=1V, IC=700mA*

IC=10mA, VCE=6V*

0.6

Base Emitter Voltage

Collector Emitter Saturation Voltage VCE(Sat) IC=700mA, IB=70mA*

Base Emitter Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

VBE(Sat) IC=700mA, IB=70mA*

Transition Frequency

Collector Output Capacitance

Cob

VCE=6V, IC=10mA,

VCB=6V, IE=0

f=1MHz

MHz

hFE(1) Classification :

Marking

M : 90-180; L : 135-270;

K : 200-400

CSA

952

CSA

952

CSA

952

*PW=350us, duty cycle=2% pulsed

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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