CSA673

更新时间： 2024-11-08 03:26:59

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描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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CSA673 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSA673 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSA673

CSA673A

TO-92

Plastic Package

Complementary CSC1213 and CSC1213A

Low Frequency Amplifier, Medium Speed Switching

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

CSA673

CSA673A

UNIT

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

500

ºC

P_C

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

400

T_j, T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

CSA673

CSA673A

UNIT

BV_CEO

V_CBO

V_EBO

I_CBO

I_C=1mA, I_B=0

I_C=10µA, I_E=0

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=20V, I_E= 0

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

Collector Emitter Saturation

Voltage

>35

>50

<500

<0.6

<500

<0.6

V_{CE(sat) **}I_C=150mA, I_B=15mA

h_FE*

V_BE

V_CE=3V, I_C=10mA

V_CE=3V, I_C=500mA **

V_CE=3V, I_C=10mA

DC Current Gain

60 - 320

>10

Base Emitter Voltage

typ 0.64

Classification

h_FE*

60 - 120

100 - 200

160 - 320

**Pulse Test

Continental Device India Limited

Data Sheet

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