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CSA673D

更新时间: 2024-11-08 03:26:59
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3页 101K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSA673D 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS  
CSA673  
CSA673A  
TO-92  
Plastic Package  
Complementary CSC1213 and CSC1213A  
Low Frequency Amplifier, Medium Speed Switching  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
CSA673  
CSA673A  
UNIT  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
35  
50  
V
V
35  
4
50  
4
V
Collector Current  
500  
500  
mA  
mW  
ºC  
PC  
Collector Power Dissipation  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
400  
400  
Tj, Tstg  
-55 to +150  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ºC unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
CSA673  
CSA673A  
UNIT  
BVCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
IC=1mA, IB=0  
IC=10µA, IE=0  
IE=10µA, IC=0  
VCB=20V, IE = 0  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Cut off Current  
Collector Emitter Saturation  
Voltage  
>35  
>35  
>4  
>50  
>50  
>4  
V
V
V
<500  
<0.6  
<500  
<0.6  
nA  
V
VCE(sat) ** IC=150mA, IB=15mA  
hFE*  
VBE  
VCE=3V, IC=10mA  
VCE=3V, IC=500mA **  
VCE=3V, IC=10mA  
DC Current Gain  
60 - 320  
60 - 320  
>10  
>10  
Base Emitter Voltage  
typ 0.64  
typ 0.64  
V
Classification  
hFE*  
B
C
D
60 - 120  
100 - 200  
160 - 320  
**Pulse Test  
Continental Device India Limited  
Data Sheet  
Page 1 of 3  

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