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CSA683Q

更新时间： 2024-11-07 23:43:59

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BJT

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CSA683Q 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.3

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSA683, CSA684

TO-237

Plastic Package

Complementary CSC1383, CSC1384

AF Power Amplifier and Driver

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25º C unless specified otherwise)

CSA684

DESCRIPTION

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

SYMBOL

CSA683

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

5.0

1.5

1.0

150

Emitter Base Voltage

Collector Current Peak

Collector Current Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I_C

*P_C

T_j

º C

T_stg

- 55 to +150

Storage Temperature

º C

*P_C=750mW/Potting type: P_C=750mW

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25º C unless specified otherwise)

DESCRIPTION

Collector Cut off Current

Collector Emitter Voltage

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=20V, I_E=0

I_C=2mA, I_B=0

CSA683

MIN

TYP MAX

UNIT

0.1

V_CEO

CSA684

V_CBO

Collector -Base Voltage

I_C=10mA, I_E=0

CSA683

CSA684

V_EBO

*h_FE

Emitter-Base Voltage

DC Current Gain

I_E=10mA, I_C=0

I_C=500mA, V_CE=10V

I_C=1A, V_CE=5V

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=10V, I_C=50mA

V_CB=10V, I_E=0,

f=1MHz

340

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.4

1.2

MHz

200

C_ob

Output Capacitance

*h_FEClassifications

Q : 85 - 170

R : 120 - 240

S : 170 - 340

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSA683R	ETC	获取价格	BJT
CSA683S	ETC	获取价格	BJT
CSA684	CDIL	获取价格	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
CSA684Q	ETC	获取价格	BJT
CSA684R	ETC	获取价格	BJT
CSA684S	ETC	获取价格	BJT
CSA70-301L-T	MITSUBISHI	获取价格	Surge Protection Circuit, LEAD FREE, PACKAGE-2
CSA708	CDIL	获取价格	NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
CSA708G	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
CSA708O	CDIL	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| TO-92