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CSA683R

更新时间： 2024-09-19 23:43:59

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BJT

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CSA683R 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.3

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSA683, CSA684

TO-237

Plastic Package

Complementary CSC1383, CSC1384

AF Power Amplifier and Driver

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25º C unless specified otherwise)

CSA684

DESCRIPTION

Collector -Base Voltage

Collector -Emitter Voltage

SYMBOL

CSA683

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

5.0

1.5

1.0

150

Emitter Base Voltage

Collector Current Peak

Collector Current Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I_C

*P_C

T_j

º C

T_stg

- 55 to +150

Storage Temperature

º C

*P_C=750mW/Potting type: P_C=750mW

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25º C unless specified otherwise)

DESCRIPTION

Collector Cut off Current

Collector Emitter Voltage

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

V_CB=20V, I_E=0

I_C=2mA, I_B=0

CSA683

MIN

TYP MAX

UNIT

0.1

V_CEO

CSA684

V_CBO

Collector -Base Voltage

I_C=10mA, I_E=0

CSA683

CSA684

V_EBO

*h_FE

Emitter-Base Voltage

DC Current Gain

I_E=10mA, I_C=0

I_C=500mA, V_CE=10V

I_C=1A, V_CE=5V

I_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=10V, I_C=50mA

V_CB=10V, I_E=0,

f=1MHz

340

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

0.4

1.2

MHz

200

C_ob

Output Capacitance

*h_FEClassifications

Q : 85 - 170

R : 120 - 240

S : 170 - 340

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSA683S	ETC	获取价格	BJT
CSA684	CDIL	获取价格	PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
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CSA684R	ETC	获取价格	BJT
CSA684S	ETC	获取价格	BJT
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CSA708	CDIL	获取价格	NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS
CSA708G	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
CSA708O	CDIL	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| TO-92
CSA708R	CDIL	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| TO-92