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CRXU10D120G3

更新时间： 2024-04-09 18:59:02
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华润微 - CRMICRO /
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TO-247-2L

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CRXU10D120G3 数据手册

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CRXU10D120G3  
Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A, 43 nC  
Fig 7: Typical Capacitance Stored Energy  
18  
16  
14  
12  
10  
8
6
4
2
0
0
200  
400  
600  
800 1000 1200  
VR (V)  
Fig 8: Transient Thermal Impedance  
10  
1
D=1  
0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.1  
0.01  
0.01  
0.001  
Single Pulse  
Notes:  
1.Duty Cycle, D=t1/t2  
2.TJM = PDM*RθJC+ TC  
0.000001 0.00001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
T , Rectangular Pulse Duration [sec]  
Page 5  
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