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CRXU10D120G3

更新时间： 2024-04-09 18:59:02

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CRXU10D120G3 数据手册

CRXU10D120G3

Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A, 43 nC

Characteristics Curve：

Fig 2: Reverse Characteristics

Fig 1: Forward Characteristics

1.0E-04

Tj=175℃

8.0E-05

Tj=125℃

6.0E-05

4.0E-05

2.0E-05

0.0E+00

Tj=75℃

Tj=25℃

Tj=-55℃

Tj=175℃

Tj=125℃

Tj=75℃

Tj=25℃

Tj=-55℃

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5

200 400 600 800 1000120014001600

V_F(V)

V_R(V)

Fig 3: Current Derating

Fig 4: Power Derating

100

10% Duty

20% Duty

30% Duty

50% Duty

70% Duty

100

125

150

175

100

125

150

175

T_C(℃)

Fig 5: Capacitance vs. Reverse Voltage

1200

Fig 6: Reverse Charge vs. Reverse Voltage

1000

800

600

400

200

0.1

100

1000

200

400

600

800 1000 1200

V_R(V)

Page 4

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