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CRXU10D120G3

更新时间： 2024-04-09 18:59:02

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CRXU10D120G3 数据手册

CRXU10D120G3

Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A, 43 nC

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Max.

Unit

R_thJC

Thermal resistance, junction – case.

1.6

°C/W

Electrical Characteristic (at Tc = 25 °C, unless otherwise specified)

Value

Symbol

Parameter

Unit Test Condition

min.

typ.

max.

I_F=10A

V_F

T_j=25°C

T_j=175°C

V_R=1200V

T_j=25°C

Forward Voltage

1.4

2.1

1.7

I_R

Reverse Current

100

μA

T_j=175°C

V_R=800V，T_j=25℃

Q_C

푉_푅

Total Capacitive Charge

푄_퐶= න 퐶 ꢀ 푑ꢀ

T_j=25℃, f=1MHz

V_R=0V

1159

Total Capacitance

V_R=400V

V_R=800V

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