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CRTJ14DN10L PDF预览

CRTJ14DN10L

更新时间： 2024-03-03 10:09:29
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华润微 - CRMICRO /
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SOT223

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CRTJ14DN10L 数据手册

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CRTJ14DN10L  
Trench N-MOSFET 100V, 104mΩ, 4A  
华润微电子(重庆)有限公司  
Fig 12: Max. Transient Thermal Impedance  
D=0.5  
0.2  
10  
1
0.1  
0.05  
0.02  
0.1  
0.01  
Single pulse  
0.01  
0.001  
Duty factor D=t1/t2  
TJM-TC=PDM*ZthJC(t)  
1E-05  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
tp (sec)  
©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited  
Page 6  
1...3456789

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