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CP734V-CMPT404A

更新时间： 2024-02-29 17:07:39
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4页 518K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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CP734V-CMPT404A 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.8
Base Number Matches：1

CP734V-CMPT404A 数据手册

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CP734V-CMPT404A  
PNP - Small Signal Transistor Die  
150mA, 35 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP734V-CMPT404A is a silicon PNP transistor designed for chopper applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
31.5 x 31.5 MILS  
7.0 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
4.7 x 6.7 MILS  
4.7 x 8.7 MILS  
Al – 30,000Å  
Au – 9,000Å  
2.0 MILS  
B
E
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
16,986  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
40  
35  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
V
V
Emitter-Base Voltage  
25  
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
150  
mA  
°C  
C
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=10V  
100  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=10V  
100  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
40  
35  
25  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =12mA, I =400µA  
0.15  
0.20  
0.85  
1.00  
400  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =24mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =12mA, I =400µA  
V
C
B
I =24mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
V
=0.15V, I =12mA  
100  
CE  
CB  
CC  
CC  
CC  
CC  
C
C
V
V
V
V
V
=6.0V, I =0, f=1.0MHz  
40  
150  
400  
3.0  
pF  
ns  
ns  
µs  
ns  
ob  
E
t
t
t
t
=10V, I =10mA, I =1.0mA  
d
C
B1  
=10V, I =10mA, I =1.0mA  
r
C
B1  
=10V, I =10mA, I =I =1.0mA  
s
f
C
B1 B2  
=10V, I =10mA, I =I =1.0mA  
750  
C
B1 B2  
R0 (28-August 2018)  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP736V-2N3635 CENTRAL

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