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Datasheet > CP736V-2N5401-WR
CP736V-2N5401-WR PDF预览

CP736V-2N5401-WR

更新时间： 2024-02-14 18:33:46
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CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 922K
描述
Power Bipolar Transistor

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CP736V-2N5401-WR 技术参数

生命周期：Active包装说明：UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.67
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：S-XUUC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

CP736V-2N5401-WR 数据手册

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CP736V-2N5401  
PNP - Silicon Transistor Die  
600mA, 80 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP736V-2N5401 die is a PNP silicon transistor designed for high voltage amplifier  
applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
17.3 x 17.3 MILS  
7.1 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.9 x 3.9 MILS  
3.9 x 3.9 MILS  
Al-Si - 30,000Å  
Au - 9,000Å  
1.8 MILS  
5 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
57,735  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
V
mA  
°C  
A
V
V
V
160  
150  
5.0  
CBO  
CEO  
EBO  
I
600  
C
T , T  
-65 to +150  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=120V  
=120V, T =100°C  
=3.0V  
50  
50  
50  
nA  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
EB  
μA  
nA  
V
V
V
V
V
V
V
A
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
I =100μA  
160  
150  
5.0  
C
I =1.0mA  
C
I =10μA  
EBO  
E
I =10mA, I =1.0mA  
0.2  
0.5  
1.0  
1.0  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
fe  
C
B
B
B
B
I =50mA, I =5.0mA  
C
I =10mA, I =1.0mA  
C
I =50mA, I =5.0mA  
C
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =10mA  
=5.0V, I =50mA  
=10V, I =10mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
60  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
C
C
C
V
V
V
V
V
240  
f
C
h
100  
300  
6.0  
200  
MHz  
pF  
C
E
C
40  
PACKING OPTIONS:  
• CP736V-2N5401-CT: Singulated die in waffle pack; 400 die per tray.  
• CP736V-2N5401-WN: Full wafer, unsawn, 100% tested with reject die inked.  
• CP736V-2N5401-WR: Full wafer, sawn and mounted on plastic ring, 100% tested with reject die inked.  
R0 (6-March 2015)  
www.centralsemi.com  
1234

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与CP736V-2N5401-WR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP736V-CMPT5401 CENTRAL

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 		150V,600mA,350mW Bare die,17.323 X 17.323 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP741V CENTRAL

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 		Small Signal Transistors PNP - Low VCE(SAT) Transistor Chip
CP741V_10 CENTRAL

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 		Small Signal Transistors PNP - Low VCE(SAT) Transistor Chip
CP741V-CMPT7410 CENTRAL

获取价格

 		25V,1A,350mW Bare die,17.720 X 17.720 mils,Transistor-Small Signal (<=1A)
CP742X-CM4209 CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
CP749 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
CP750 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
CP751 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
CP752 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
CP753 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92

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