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CMXD2004S PDF预览

CMXD2004S

更新时间： 2024-09-13 03:14:39
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 二极管开关高压
页数 文件大小 规格书
2页 90K
描述
SURFACE MOUNT SUPERmini DUAL, IN-SERIES HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODES

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CMXD2004S 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SUPERMINI-6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.49配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：4 A
元件数量：4端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.225 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

CMXD2004S 数据手册

 浏览型号CMXD2004S的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMXD2004S  
CMXD2004SR  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT SUPERminiTM  
DUAL, IN-SERIES  
DESCRIPTION:  
HIGH VOLTAGE  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXD2004S  
and CMXD2004SR consists of Dual, In-Series pairs  
of High Voltage Silicon Switching Diodes,  
manufactured in a SUPERmini™ SOT-26 surface  
mount package, and designed for high voltage  
switching applications. This device can be  
configured as a 1200V switching diode, or as a  
bridge rectifier. See optional mounting pad  
configurations on following page.  
SWITCHING DIODES  
SOT-26 CASE  
MARKING CODES:  
CMXD2004S: CX04S  
CMXD2004SR: C04SR  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Current  
Continuous Forward Current  
Peak Repetitive Forward Current  
Forward Surge Current, tp=1 µs  
Forward Surge Current, tp=1 s  
Power Dissipation  
V
240  
300  
200  
225  
625  
4.0  
V
R
V
I
V
mA  
mA  
mA  
A
RRM  
O
I
I
I
I
F
FRM  
FSM  
FSM  
1.0  
A
P
350  
mW  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
J
-65 to +150  
357  
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
UNIT  
nA  
μA  
V
I
I
V =240V  
R
R
V =240V, T =150°C  
100  
R
R
A
BV  
I =100μA  
300  
R
R
V
F
I =100mA  
1.0  
5.0  
50  
V
F
C
V =0, f=1 MHz  
R
pF  
ns  
T
t
I =I =30mA, Rec. To 3.0mA, R =100Ω  
rr  
F
R
L
R2 (25-August 2005)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMXD2004S_10 CENTRAL

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 		Diode,
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