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CMXD4448 PDF预览

CMXD4448

更新时间： 2024-10-29 22:12:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管开关测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 227K
描述
SUPER-MINI TRIPLE ISOLATED SURFACE MOUNT HIGH SPEED SWITCHING DIODE

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CMXD4448 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.27Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 3 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：3端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.25 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：0.025 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：20 V子类别：Other Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMXD4448 数据手册

 浏览型号CMXD4448的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMXD4448  
Central  
SUPER-MINI  
TRIPLE ISOLATED  
SURFACE MOUNT  
HIGH SPEED  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
SWITCHING DIODE  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMXD4448 type contains three (3) Isolated  
High Speed Silicon Switching Diodes,  
manufactured by the epitaxial planar  
process, epoxy molded in a super-mini  
surface mount package, designed for  
applications requiring high speed switching  
applications. Marking code is X48.  
SOT-26 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Continuous Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Peak Repetitive Forward Current  
Forward Surge Current, tp=1 µsec.  
Forward Surge Current, tp=1 sec.  
Power Dissipation  
V
V
75  
100  
250  
V
V
R
RRM  
I
I
I
I
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
F
250  
FRM  
FSM  
FSM  
4000  
1000  
350  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Thermal Resistance  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
R
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX UNITS  
I
V =20V  
25  
nA  
V
R
BV  
BV  
I =5.0µA  
75  
100  
R
R
R
I =100µA  
V
R
V
C
t
I =100mA  
1.0  
4.0  
4.0  
V
pF  
ns  
F
T
F
V =0, f=1 MHz  
R
I =I =10mA, R =100 Rec. to 1.0mA  
R F  
rr  
L
R1 ( 14-Sept 2000)  
12

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