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CMXD2004SRTR PDF预览

CMXD2004SRTR

更新时间： 2024-10-30 19:52:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 428K
描述
Rectifier Diode, 4 Element, 0.225A, 300V V(RRM), Silicon, SUPERMINI-6

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CMXD2004SRTR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SUPERMINI-6针数：6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.25
配置：2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.225 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.35 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向电流：100 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs反向测试电压：240 V
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

CMXD2004SRTR 数据手册

 浏览型号CMXD2004SRTR的Datasheet PDF文件第2页 
CMXD2004S  
CMXD2004SR  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
DUAL PAIR, IN-SERIES  
HIGH VOLTAGE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXD2004S and  
CMXD2004SR consists of Dual Pair, In-Series pairs of  
High Voltage Silicon Switching Diodes, manufactured in  
a SUPERmini™ SOT-26 surface mount package, and  
designed for high voltage switching applications. This  
device can be configured as a 1200V switching diode,  
or as a bridge rectifier. See optional mounting pad  
configurations on following page.  
SILICON SWITCHING DIODES  
MARKING CODES: CMXD2004S: CX04S  
CMXD2004SR: C04SR  
SOT-26 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Continuous Reverse Voltage  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Average Forward Current  
V
240  
300  
R
V
V
RRM  
I
200  
mA  
mA  
mA  
A
O
Continuous Forward Current  
Peak Repetitive Forward Current  
Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs  
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s  
Power Dissipation  
I
225  
F
I
625  
FRM  
I
4.0  
FSM  
FSM  
I
1.0  
A
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
UNIT  
nA  
μA  
V
I
I
V =240V  
R
R
R
V =240V, T =150°C  
100  
R
A
BV  
I =100μA  
300  
R
R
V
I =100mA  
1.0  
5.0  
50  
V
F
F
C
V =0, f=1.0MHz  
pF  
ns  
T
R
t
I =I =30mA, I =3.0mA, R =100Ω  
rr  
F
R
rr  
L
R3 (12-February 2010)  
12

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