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CMPSH-3/A/C/S

更新时间： 2024-09-15 23:42:51

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Schottky barrier diodes

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CMPSH-3/A/C/S 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

SOT— 23

CMPSH-3/3A/3C/3S SCHOTTKY DIODE

FEATURES

Power dissipation

P_D

Forward Current

I_F

350

100

mW（Tamb=25℃）

2.4

1.3

Reverse Voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150

Unit : mm

CMPSH-3 Marking: D95

CMPSH-3A Marking: DB1

CMPSH-3C Marking: DB2

CMPSH-3S

Marking:DA5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

(BR)

I_R= 100μA

V_R=25V

500

100

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

I_R

V_R=25V，T_A=100℃

μA

I_F=2mA

0.33

0.45

V_F

I_F=15mA

I_F=100mA

Diode capacitance

Reverse recovery time

C_tot

V_R=0V

f=1MHz

I_F=I_R=10mA

t _{r r}

I_RR=1.0mA R =100Ω

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