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CMPSH-3A PDF预览

CMPSH-3A

更新时间： 2024-09-16 12:56:19
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 整流二极管肖特基二极管测试光电二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 296K
描述
SOT-23 PLASTIC-ENCAPSULATE SCHOTTKY DIODE

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CMPSH-3A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.6Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265最大功率耗散：0.35 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向恢复时间：0.005 µs表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMPSH-3A 数据手册

 浏览型号CMPSH-3A的Datasheet PDF文件第2页 
RECTRON  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
CMPSH-3A  
SOT-23 PLASTIC-ENCAPSULATE  
SCHOTTKY DIODE  
FEATURES  
* Power dissipation  
PD:  
350  
100  
30  
mW (Tamb=25OC)  
Forward current  
IF:  
Reverse voltage  
*
*
*
mA  
V :  
V
R
SOT-23  
Operating and storage junction temperature range  
T ,Tstg: -55OC to +150OC  
J
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
0.055(1.40)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.047(1.20)  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
* Weight: 0.008 gram  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Reverse Breakdown Voltage (I =100µA)  
SYMBOL  
V(BR)  
MIN  
30  
-
TYP  
-
MAX  
-
UNITS  
V
R
-
500  
100  
nA  
µA  
Reverse voltage leakage current (V =25V)  
R
IR  
Reverse voltage leakage current (V =25V, T = 100oC)  
-
-
-
-
R
A
Forward voltage (I =2mA)  
F
-
-
0.33  
0.45  
1
V
Forward voltage (I =15mA)  
F
VF  
V
V
-
-
-
Forward voltage (I =100mA)  
F
-
-
Diode capacitance (V =0V, f=1MHz)  
Ctot  
8
pF  
ns  
R
Reverse recovery time (I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω)  
-
t
5
F
R
RR  
L
rr  
Marking  
DB1  
Note 1: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
2006-3  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMPSH-3ABKLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CMPSH-3AE CENTRAL

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 		ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES
CMPSH-3AEBK CENTRAL

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CMPSH-3AETR CENTRAL

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