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CMLDM5757TR

更新时间： 2024-11-23 21:08:43
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页数 文件大小 规格书
3页 1028K
描述
Transistor

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CMLDM5757TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.69最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.43 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YESBase Number Matches：1

CMLDM5757TR 数据手册

 浏览型号CMLDM5757TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CMLDM5757TR的Datasheet PDF文件第3页 
CMLDM5757  
SURFACE MOUNT SILICON  
DUAL P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM5757  
consists of dual P-Channel enhancement-mode silicon  
MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier  
and driver applications. These MOSFETs offer very low  
r
and low threshold voltage.  
DS(ON)  
MARKING CODE: 77C  
FEATURES:  
• ESD protection up to 1800V (Human Body Model)  
• 350mW power dissipation  
SOT-563 CASE  
• Very low r  
• Low threshold voltage  
• Logic level compatible  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Load switch/Level shifting  
• Battery charging  
• Small, SOT-563 surface mount package  
• Complementary dual N-Channel device: CMLDM3737  
• Boost switch  
• Electro-luminescent backlighting  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
20  
8.0  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
V
GS  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current (tp=10μs)  
Power Dissipation (Note 1)  
I
430  
mA  
D
I
750  
mA  
DM  
P
P
P
350  
mW  
mW  
mW  
°C  
D
D
D
Power Dissipation (Note 2)  
300  
Power Dissipation (Note 3)  
150  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 1)  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=4.5V, V =0  
MIN  
MAX  
2.0  
UNITS  
μA  
I
, I  
V
GSSF GSSR GS  
DS  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=16V, V =0  
1.0  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
=0, I =250μA  
BV  
20  
DSS  
GS(th)  
SD  
GS  
D
V
V
=V , I =250μA  
0.45  
1.0  
1.2  
0.9  
1.2  
2.0  
20  
V
DS GS  
D
=0, I =350mA  
V
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
S
r
r
r
=4.5V, I =430mA  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=2.5V, I =300mA  
Ω
D
=1.8V, I =150mA  
Ω
D
C
C
C
=16V, V =0, f=1.0MHz  
pF  
pF  
pF  
rss  
iss  
GS  
=16V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
175  
30  
=16V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm2  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm2  
R2 (5-June 2013)  
123

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