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CMLDM7003EBK

更新时间： 2024-11-19 20:59:35

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	163K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

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CMLDM7003EBK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.57	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.28 A
最大漏极电流 (ID)：	0.28 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CMLDM7003EBK 数据手册

CMLDM7003E

CMLDM7003JE

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT PICOmini^TM

DUAL N-CHANNEL

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

ENHANCEMENT-MODE

SILICON MOSFET

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM7003E

and CMLDM7003JE are Enhancement-mode N-Channel

Field Effect Transistors, manufactured by the N-Channel

DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier

and driver applications. The CMLDM7003E utilizes the

USA pinout configuration, while the CMLDM7003JE

utilizes the Japanese pinout configuration. These special

Dual Transistor devices offer low drain-source on state

resistance (r

) and ESD protection up to 2kV.

DS(ON)

SOT-563 CASE

MARKING CODE: CMLDM7003E: C73

CMLDM7003JE: C7J

FEATURES

ESD protected up to 2kV

•

ENHANCED SPECIFICATIONS

, I

, V =5V

50nA Max from 100nA Max

GSSF GSSR GS

, I

, V =10V

0.5µA Max from 2.0µA Max

1.0µA Max from 2.0µA Max

GSSF GSSR GS

, I , V =12V

GSSF GSSR GS

, V =1.8V, I =50mA 2.3Ω Max from 3.0Ω Max

DS(ON) GS

, V =2.5V, I =50mA 1.9Ω Max from 2.5Ω Max

DS(ON) GS

, V =5.0V, I =50mA 1.5Ω Max from 2.0Ω Max

DS(ON) GS

MAXIMUM RATINGS (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Drain-Source Voltage

Drain-Gate Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Maximum Pulsed Drain Current

Power Dissipation

280

1.5

350

300

150

mW (Note 1)

mW (Note 2)

mW (Note 3)

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

T ,T

-65 to +150

357

°C

J stg

Thermal Resistance

°C/W

Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm²

(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0 mm²

(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4 mm²

R1 (18-December 2006)

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CMLDM7003EPBFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
CMLDM7003EPBFREE#N/A	CENTRAL	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
CMLDM7003ETIN/LEAD	CENTRAL	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
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