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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.64 | 配置： | 2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.015 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 70 V | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMLD6263STR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, Schottky, 4 Element, 0.015A, 70V V(RRM), Silicon, PICOMINI-6 |
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| CMLDM3737 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS |
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| CMLDM3737_5757 | CENTRAL |
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Dual, Complementary MOSFETs in miniature SOT-563 package |
|
| CMLDM3757 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFETS |
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| CMLDM5757 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS |
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| CMLDM5757_13 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
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| CMLDM5757TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| CMLDM5757TR | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CMLDM5757TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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| CMLDM5757TRTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
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