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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PICOMINI-6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.7 |
| 配置： | 2 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.41 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.015 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 70 V | 最大反向电流： | 0.2 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.005 µs | 反向测试电压： | 50 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMLDM3737 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS |
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| CMLDM3737_5757 | CENTRAL |
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Dual, Complementary MOSFETs in miniature SOT-563 package |
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| CMLDM3757 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFETS |
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| CMLDM5757 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS |
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| CMLDM5757_13 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET |
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| CMLDM5757TIN/LEAD | CENTRAL |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| CMLDM5757TR | CENTRAL |
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Transistor |
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| CMLDM5757TRLEADFREE | CENTRAL |
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Transistor |
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| CMLDM5757TRTIN/LEAD | CENTRAL |
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Transistor |
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| CMLDM7002A | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PICOmini DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET |
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