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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CMLDM5757TIN/LEAD
CMLDM5757TIN/LEAD PDF预览

CMLDM5757TIN/LEAD

更新时间： 2024-11-19 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 586K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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CMLDM5757TIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.76JESD-609代码：e0
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CMLDM5757TIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CMLDM5757TIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
CMLDM5757  
SURFACE MOUNT  
DUAL P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFETS  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLDM5757  
consists of Dual P-Channel Enhancement-mode silicon  
MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier  
and driver applications. These MOSFETs offer Very  
Low r  
and Low Threshold Voltage.  
DS(ON)  
MARKING CODE: 77C  
FEATURES:  
• ESD Protection up to 2kV  
• 350mW Power Dissipation  
SOT-563 CASE  
• Very Low r  
• Low Threshold Voltage  
• Logic Level Compatible  
DS(ON)  
APPLICATIONS:  
• Load Switch / Level Shifting  
• Battery Charging  
• Small, SOT-563 Surface Mount Package  
• Complementary Dual N-Channel Device: CMLDM3737  
• Boost Switch  
• Electro-luminescent Backlighting  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
20  
8.0  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
V
GS  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current (tp=10μs)  
Power Dissipation (Note 1)  
I
430  
mA  
D
I
750  
mA  
DM  
P
P
P
350  
mW  
mW  
mW  
°C  
D
D
D
Power Dissipation (Note 2)  
300  
Power Dissipation (Note 3)  
150  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 1)  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
=4.5V, V =0  
MIN  
MAX  
2.0  
UNITS  
μA  
I
, I  
V
GSSF GSSR GS  
DS  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=16V, V =0  
1.0  
μA  
V
DSS  
DS  
GS  
=0, I =250μA  
BV  
20  
DSS  
GS(th)  
SD  
GS  
D
V
V
=V , I =250μA  
0.45  
1.0  
1.2  
0.9  
1.2  
2.0  
20  
V
DS GS  
D
=0, I =350mA  
V
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
S
r
r
r
=4.5V, I =430mA  
Ω
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=2.5V, I =300mA  
Ω
D
=1.8V, I =150mA  
Ω
D
C
C
C
=16V, V =0, f=1.0MHz  
pF  
pF  
pF  
rss  
iss  
GS  
=16V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
175  
=16V, V =0, f=1.0MHz  
30  
2
oss  
GS  
Notes: (1) Ceramic or aluminum core PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm  
2
(2) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 4.0mm  
(3) FR-4 Epoxy PC Board with copper mounting pad area of 1.4mm  
2
R1 (30-July 2011)  
12

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