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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMKT2207TRLEADFREE
CMKT2207TRLEADFREE PDF预览

CMKT2207TRLEADFREE

更新时间： 2024-11-23 13:06:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), NPN and PNP

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CMKT2207TRLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.6 A
最小直流电流增益 (hFE)：100最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN/PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

CMKT2207TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMKT2207TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMKT2207  
Central  
Semiconductor Corp.  
™
ULTRAmini  
SURFACE MOUNT  
COMPLEMENTARY TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT2207  
type is a dual complementary silicon transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a ULTRAmini™ surface mount  
package, designed for small signal general  
purpose and switching applications.  
Marking Code is K70.  
SOT-363 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
75  
40  
60  
60  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
V
6.0  
5.0  
V
mA  
mW  
I
600  
350  
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
NPN (Q1)  
PNP (Q2)  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
=60V  
=50V  
-
-
10  
-
-
-
10  
-
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
EBO  
CEV  
CEV  
CB  
CB  
CB  
CB  
EB  
CE  
CE  
-
=60V, T =125°C  
-
10  
-
-
A
=50V, T =125°C  
A
-
-
-
10  
-
=3.0V  
-
10  
10  
-
=60V, V  
=30V, V  
I =10µA  
=3.0V  
=500mV  
-
-
-
EB(OFF)  
EB(OFF)  
-
-
50  
-
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
75  
40  
6.0  
-
-
60  
60  
5.0  
-
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
-
-
-
V
C
I =10µA  
-
V
EBO  
E
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
-
0.4  
1.6  
1.3  
2.6  
-
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
-
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
-
-
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
-
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
35  
50  
75  
75  
100  
100  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
-
-
-
-
FE  
C
=10V, I =10mA  
FE  
C
=10V, I =150mA  
100 300  
100 300  
-
FE  
C
=1.0V, I =150mA  
50  
40  
-
-
-
-
FE  
C
h
V
=10V, I =500mA  
50  
FE  
CE  
C
R0 ( 9-October 2001)  
12

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