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CMKT2222ALEADFREE PDF预览

CMKT2222ALEADFREE

更新时间： 2024-11-26 21:01:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 492K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMKT2222ALEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.22最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：285 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

CMKT2222ALEADFREE 数据手册

 浏览型号CMKT2222ALEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMKT2222A  
SURFACE MOUNT  
DUAL NPN SMALL SIGNAL  
SILICON SWITCHING  
TRANSISTORS  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT2222A  
consists of two individually isolated 2222A NPN silicon  
transistors, manufactured by the epitaxial planar  
process and epoxy molded in an SOT-363 surface  
mount package. This ULTRAmini™ device has  
been designed for small signal general purpose and  
switching applications.  
MARKING CODE: K22  
SOT-363 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
75  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
6.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=60V  
10  
nA  
CBO  
CBO  
CEV  
EBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
=60V, T =125°C  
10  
10  
10  
μA  
nA  
nA  
V
A
=60V, V =3.0V  
EB  
=3.0V  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
75  
40  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10μA  
6.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
35  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
FE  
C
=10V, I =10mA  
75  
FE  
C
=1.0V, I =150mA  
50  
FE  
C
=10V, I =150mA  
100  
40  
300  
FE  
C
h
V
=10V, I =500mA  
FE  
CE C  
f
V
=20V, I =20mA, f=100MHz  
300  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
8.0  
25  
ob  
CB  
E
C
V
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
ib  
EB  
C
R4 (13-January 2010)  
12

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