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CMKT2222ABK PDF预览

CMKT2222ABK

更新时间： 2024-11-23 21:01:55
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 492K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMKT2222ABK 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.22
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：285 ns
最大开启时间（吨）：35 nsBase Number Matches：1

CMKT2222ABK 数据手册

 浏览型号CMKT2222ABK的Datasheet PDF文件第2页 
CMKT2222A  
SURFACE MOUNT  
DUAL NPN SMALL SIGNAL  
SILICON SWITCHING  
TRANSISTORS  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKT2222A  
consists of two individually isolated 2222A NPN silicon  
transistors, manufactured by the epitaxial planar  
process and epoxy molded in an SOT-363 surface  
mount package. This ULTRAmini™ device has  
been designed for small signal general purpose and  
switching applications.  
MARKING CODE: K22  
SOT-363 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
V
V
75  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
6.0  
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
I
600  
mA  
mW  
°C  
C
P
350  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=60V  
10  
nA  
CBO  
CBO  
CEV  
EBO  
CB  
CB  
CE  
EB  
=60V, T =125°C  
10  
10  
10  
μA  
nA  
nA  
V
A
=60V, V =3.0V  
EB  
=3.0V  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
75  
40  
CBO  
CEO  
C
I =10mA  
V
C
I =10μA  
6.0  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =150mA, I =15mA  
0.3  
1.0  
1.2  
2.0  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
I =150mA, I =15mA  
0.6  
V
C
B
I =500mA, I =50mA  
V
C
B
h
h
h
h
h
V
=10V, I =0.1mA  
35  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
=10V, I =1.0mA  
FE  
C
=10V, I =10mA  
75  
FE  
C
=1.0V, I =150mA  
50  
FE  
C
=10V, I =150mA  
100  
40  
300  
FE  
C
h
V
=10V, I =500mA  
FE  
CE C  
f
V
=20V, I =20mA, f=100MHz  
300  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=1.0MHz  
8.0  
25  
ob  
CB  
E
C
V
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
pF  
ib  
EB  
C
R4 (13-January 2010)  
12

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