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CM75RX-24A

更新时间: 2024-09-13 06:48:11
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
8页 226K
描述
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

CM75RX-24A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:MODULE包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22
针数:22Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.18Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):75 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X22
元件数量:7端子数量:22
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):500 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:2.6 V
Base Number Matches:1

CM75RX-24A 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM75RX-24A  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM75RX-24A  
¡IC ..................................................................... 75A  
¡VCES ......................................................... 1200V  
¡7pack (3-phase Inverter + Brake)  
¡Flatbase Type / Insulated Package /  
Copper (non-plating) base plate  
¡RoHS Directive compliant  
APPLICATION  
General purpose Inverters, Servo Amplifiers  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
(7.4)  
φ4.3  
φ2.5  
L A B E L  
φ2.1  
0.8  
1.2  
TERMINAL t = 0.8  
136.9  
121.7  
SECTION A  
4-φ5.5 MOUNTING HOLES  
0.5  
110  
(20.5)  
7
17  
13  
99  
94.5  
(21.14)  
6.5  
54.2  
(50)  
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13  
12  
11  
10  
9
35  
36  
34.52  
30.72  
8
7
6
15.48  
11.66  
5
1
2
3
4
0
A
(3)  
(5.4)  
8.5  
17  
6
12  
6-M5 NUTS  
12.5  
Pin positions  
with tolerance  
13.5 20.71  
22.86  
22.86  
22.86  
φ0.5  
(SCREWING DEPTH)  
+1  
17  
-0.5  
TH1(11)  
TH2(10)  
P(35)  
B(4)  
Tolerance otherwise specified  
Division of Dimension  
Tolerance  
0.2  
GuP(34)  
EuP(33)  
GvP(26)  
EvP(25)  
GwP(18)  
EwP(17)  
0.5 to  
3
6
over  
over  
3
6
to  
to  
0.3  
U(1)  
V(2)  
W(3)  
30  
0.5  
GB(6)  
EB(5)  
N(36)  
over 30 to 120  
over 120 to 400  
0.8  
GuN(30)  
EuN(29)  
GvN(22)  
GwN(14)  
EwN(13)  
1.2  
EvN(21)  
CIRCUIT DIAGRAM  
Jan. 2009  

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