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CM75TU-12F

更新时间： 2024-11-17 22:28:39

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三菱 - MITSUBISHI		开关高功率电源
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

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CM75TU-12F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RTC	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X17	元件数量：	6
端子数量：	17	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	290 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	2.2 V

CM75TU-12F 数据手册

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM75TU-12F

HIGH POWER SWITCHING USE

CM75TU-12F

¡IC ..................................................................... 75A

¡VCES ............................................................600V

¡Insulated Type

¡6-elements in a pack

APPLICATION

General purpose inverters & Servo controls, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

102

4–φ5.5

MOUNTING HOLES

±0.25

(4)

GuN

19.1

11 11.85

EuN

GvN

EvN

GwN

EwN

GuP

EuP

GvP

EvP

GwP

EwP

5–M4NUTS

Tc measured point

2.8

3.05

Tc measured point

–0.5

11 19.1 11

19.1 11

GWP

RTC

EWP

LABEL

GWN

RTC

EWN

CIRCUIT DIAGRAM

Aug. 1999

12 3 4

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