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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X17 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM75TU-12H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM75TU-24F | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM75TU-24F | POWEREX |
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Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/12 |
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| CM75TU-24F_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM75TU-24H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM75TU-24H | POWEREX |
获取价格 |
Six IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts |
|
| CM75TU-24H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM75TU-34KA | POWEREX |
获取价格 |
Six IGBTMOD 75 Amperes/1700 Volts |
|
| CM75TU-34KA | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM75TU-34KA_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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