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CM75TL-12NF

更新时间： 2024-11-20 03:04:39

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
5页	53K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

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CM75TL-12NF 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X20
元件数量：	6	端子数量：	20
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	430 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

CM75TL-12NF 数据手册

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM75TL-12NF

HIGH POWER SWITCHING USE

CM75TL-12NF

¡IC ..................................................................... 75A

¡VCES ............................................................600V

¡Insulated Type

¡6-elements in a pack

APPLICATION

AC drive inverters & Servo controls, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

L A B E L

120

106 ±0.5

2-φ5.5

MOUNTING HOLES

13.62

40.78

C N

U P

V P

W P

10.75

6-M5 NUTS

(19.75)

Housing Type of A and B

(J.S.T.Mfg.Co.Ltd)

A = B8P-VH-FB-B, B = B2P-VH-FB-B

UP-1

UP-2

VP-1

WP-1

WP-2

VP-2

CN-7

CN-8

CN-5

CN-6

CN-3

CN-4

CN-1

CN-2

CIRCUIT DIAGRAM

Jun. 2004

12 3 4 5

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