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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X12 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 12 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 3 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM75BU-12H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM75DU-12F | POWEREX |
获取价格 |
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/6 |
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| CM75DU-12F | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM75DU-12F_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM75DU-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM75DU-12H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts |
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| CM75DU-12H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM75DU-24F | POWEREX |
获取价格 |
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1 |
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| CM75DU-24F | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM75DU-24F_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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