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CM75E3U-24F

更新时间: 2024-10-30 03:25:55
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三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管双极性晶体管通用开关局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

CM75E3U-24F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.77
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):75 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):450 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:GENERAL PURPOSE SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.4 VBase Number Matches:1

CM75E3U-24F 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM75E3U-24F  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM75E3U-24F  
¡IC ..................................................................... 75A  
¡VCES ......................................................... 1200V  
¡Insulated Type  
¡1-element in a pack  
APPLICATION  
Brake  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
Tc measured point  
94  
0.25  
7
80  
23  
2–φ6.5 MOUNTING HOLES  
4
17  
23  
C 1  
E 2  
C2 E1  
13.5  
12  
16  
1MAX  
3–M5 NUTS  
12mm deep  
TAB #110. t=0.5  
2.5  
2.5  
16  
25  
RTC  
C2E1  
E2  
C1  
LABEL  
CIRCUIT DIAGRAM  
Mar.2002  

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