是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.82 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | SUPER FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 75 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 配置: | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X7 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 7 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 310 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 500 ns |
标称接通时间 (ton): | 420 ns | VCEsat-Max: | 2.8 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CM75DU-12F | MITSUBISHI |
功能相似 |
HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM75DU-12H | POWEREX |
功能相似 |
Dual IGBTMOD 75 Amperes/600 Volts | |
CM75DU-12F | POWEREX |
功能相似 |
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/6 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CM75DY24E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | |
CM75DY24H | ETC |
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||
CM75DY-24H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
CM75DY-24H | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD 75 Amperes/1200 Volts | |
CM75DY-28H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
CM75DY-34A | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM75DY-34A | POWEREX |
获取价格 |
Dual IGBTMOD A-Series Module 75 Amperes/1700 Volts | |
CM75DY-34A_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM75DY-34A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
CM75DY-34T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM75DY-34T |