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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.1 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1700 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1980 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1100 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 740 ns | VCEsat-Max： | 2.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM200DY-34A | MITSUBISHI |
功能相似  |
HIGH POWER SWITCHING US |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM200DY-34A_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM200DY-34A_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM200DY-34T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM200DY-34T |
|
| CM200E3U-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM200E3U-12H | POWEREX |
获取价格 |
Chopper IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts |
|
| CM200E3U-12H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM200E3U-24F | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM200E3Y12E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
|
| CM200E3Y-12E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
| CM200E3Y24E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
|
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