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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM200E3Y-12E | MITSUBISHI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| CM200E3Y24E | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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| CM200EXS-24S | POWEREX |
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Chopper IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1200 Volts |
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| CM200EXS-24S | MITSUBISHI |
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IGBT模块 S系列 CM200EXS-24S |
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| CM200EXS-34SA | POWEREX |
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Chopper IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1700 Volts |
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| CM200EXS-34SA | MITSUBISHI |
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IGBT模块 S系列 CM200EXS-34SA |
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| CM200G | CONNOR-WINFIELD |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PA |
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| CM200G-032.768K | CONNOR-WINFIELD |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PA |
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| CM200G-32.768KHZ | CONNOR-WINFIELD |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PA |
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| CM200HA24E | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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