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CM200RL-24NF

更新时间： 2024-02-26 22:44:48

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
6页	106K
描述
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

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CM200RL-24NF 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.26
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	7
端子数量：	20	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1160 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	3.1 V	Base Number Matches：	1

CM200RL-24NF 数据手册

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM200RL-24NF

HIGH POWER SWITCHING USE

CM200RL-24NF

¡IC ...................................................................200A

¡VCES ......................................................... 1200V

¡Insulated Type

¡7-elements in a pack

APPLICATION

AC drive inverters & Servo controls, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

135

(6.05)

11.7

(6.05)

110 0.5

17.5

10.5

W U

4-φ5.5

MOUNTING HOLES

(13)

30.5

46.3

6-M5 NUTS

Housing Type of A and B

(J.S.T.Mfg.Co.Ltd)

A = B8P-VH-FB-B, B = B2P-VH-FB-B

LABEL

UP-1

UP-2

VP-1

VP-2

WP-1

WP-2

CN-7

CN-8

CN-5

CN-6

CN-3

CN-4

CN-1

CN-2

CIRCUIT DIAGRAM

Feb. 2009

12 3 4 5 6

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