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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 | 针数： | 17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X17 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 17 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 590 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM200TU-12F | POWEREX |
功能相似  |
Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 200 Amperes/6 |
|
| MG200J6ES60 | TOSHIBA |
功能相似 |
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM200TU-12F_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM200TU-12H | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| CM200TU-12H | POWEREX |
获取价格 |
Six IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts |
|
| CM200TU-12H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM200TU-5F | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
|
| CM200TU-5F | POWEREX |
获取价格 |
Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 200 Amperes/2 |
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| CM200TX-13T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM200TX-13T |
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| CM200TX-24T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM200TX-24T |
|
| CM200TXP-13T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM200TXP-13T |
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| CM200TXP-24T | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 T系列 CM200TXP-24T |
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