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CM200TU-5F

更新时间: 2024-11-20 22:48:51
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管电动机控制局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

CM200TU-5F 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.24外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):200 A集电极-发射极最大电压:250 V
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X17元件数量:6
端子数量:17最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):600 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.7 VBase Number Matches:1

CM200TU-5F 数据手册

 浏览型号CM200TU-5F的Datasheet PDF文件第2页 
MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM200TU-5F  
HIGH POWER SWITCHING USE  
CM200TU-5F  
¡IC ...................................................................200A  
¡VCES ............................................................250V  
¡Insulated Type  
¡6-elements in a pack  
APPLICATION  
Inverters for battery power source  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
107  
4–φ5.5  
MOUNTING HOLES  
±0.25  
90  
23  
(4)  
12  
12  
CM  
P
N
11  
11 14.4  
11  
21.7  
21.7  
G
E
G
E
G
E
GuN  
EuN  
GvN  
EvN  
GwN  
EwN  
GuP  
EuP  
GvP  
EvP  
GwP  
EwP  
G
E
G
E
G
E
U
V
W
12  
12  
12  
+1  
29  
–0.5  
23  
23  
0.8  
5–M5NUTS  
2.8  
11  
21.7 11  
21.7 11  
Tc measured point  
Tc measured point  
4
P
G
U
P
P
G
E
V
V
P
P
G
E
W
W
P
P
EU  
LABEL  
U
V
W
G
U
N
G
E
V
N
G
E
W
N
N
N E  
UN  
VN  
W
CIRCUIT DIAGRAM  
Sep. 2000  

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