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CM200G

更新时间： 2024-02-29 16:31:11

品牌	Logo	应用领域
CONNOR-WINFIELD		驱动晶体谐振器
页数	文件大小	规格书
1页	99K
描述
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PACKAGE-4

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CM200G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.60.00.10
风险等级：	5.65	其他特性：	TAPE AND REEL
老化：	3 PPM/YEAR	晶体/谐振器类型：	PARALLEL - FUNDAMENTAL
驱动电平：	1 µW	频率稳定性：	0.005%
频率容差：	30 ppm	负载电容：	12.5 pF
安装特点：	SURFACE MOUNT	标称工作频率：	0.032768 MHz
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
物理尺寸：	L8.0XB3.8XH2.5 (mm)/L0.315XB0.15XH0.098 (inch)	串联电阻：	50000 Ω
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

CM200G 数据手册

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与CM200G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM200G-032.768K	CONNOR-WINFIELD	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PA
CM200G-32.768KHZ	CONNOR-WINFIELD	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PA
CM200HA24E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C)
CM200HA24H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C)
CM200HA-24H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts
CM200HA-24H	MITSUBISHI	获取价格	HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM200HA28	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.4KV V(BR)CES \| 200A I(C)
CM200HA-28	MITSUBISHI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel
CM200HG-130H	POWEREX	获取价格	Single IGBTMOD HVIGBT Module 200 Amperes/6500 Volts
CM200HG-130H	MITSUBISHI	获取价格	HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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