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CM200HG-130H

更新时间： 2024-09-28 06:48:07

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
页数	文件大小	规格书
8页	101K
描述
HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM200HG-130H 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	6300 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2900 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	8700 ns	标称接通时间 (ton)：	1550 ns
Base Number Matches：	1

CM200HG-130H 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM200HG-130H

HIGH POWER SWITCHING USE

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM200HG-130H

● IC..................................................................200 A

● VCES ...................................................... 6500 V

● High Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

73 0.5

57 0.25

2-M8 NUTS

(2)

>PET+PBT<

(1)

CIRCUIT DIAGRAM

E G

>PET+PBT<

0.1

4-φ7 MOUNTING HOLES

TAB #110. T = 0.5

21.6 0.3

12.9 0.3

16.2 0.3

17.4 0.3

2.8 ^0.1

41 0.3

screwing depth

min. 16.5

22 0.3

depth

min. 4

L A B E L

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

May 2009

12 3 4 5 6 7 8

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