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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.85 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | SUPER FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 200 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 650 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 300 ns | 标称接通时间 (ton)： | 150 ns |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CM200E3U-12H | POWEREX |
功能相似  |
Chopper IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CM200E3U-12H_09 | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| CM200E3U-24F | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE |
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| CM200E3Y12E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
|
| CM200E3Y-12E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| CM200E3Y24E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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| CM200EXS-24S | POWEREX |
获取价格 |
Chopper IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1200 Volts |
|
| CM200EXS-24S | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 S系列 CM200EXS-24S |
|
| CM200EXS-34SA | POWEREX |
获取价格 |
Chopper IGBT NX-Series Module 200 Amperes/1700 Volts |
|
| CM200EXS-34SA | MITSUBISHI |
获取价格 |
IGBT模块 S系列 CM200EXS-34SA |
|
| CM200G | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 0.032768MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PA |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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