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NE24300

更新时间： 2024-01-16 01:47:42

品牌	Logo	应用领域
CEL		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, NPN

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NE24300 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.40
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.11 A
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	X BAND
JESD-30 代码：	R-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	UNCASED CHIP	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE24300 数据手册

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NE243499	CEL	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, NPN	获取价格
NE24600	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| CHIP	获取价格

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