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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOT-143, 4 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 13 V |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp)： | 16 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NE25139-T1 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139T1U71 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139T1U72 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139T1U73 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139T1U74 | NEC | GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET |
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| NE25139T2U71 | CEL | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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