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NE25139

更新时间： 2024-02-09 09:31:30
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
页数 文件大小 规格书
7页 57K
描述
GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAS MESFET

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NE25139 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOT-143, 4 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.87Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：13 V
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：0.03 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：16 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE25139 数据手册

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GENERAL PURPOSE  
DUAL-GATE GaAS MESFET  
NE25139  
FEATURES  
POWER GAIN AND NOISE FIGURE vs.  
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE  
•
SUITABLE FOR USE AS RF AMPLIFIER IN  
UHF TUNER  
GPS  
10  
20  
10  
•
•
•
•
•
•
LOW CRSS: 0.02 pF (TYP)  
HIGH GPS: 20 dB (TYP) AT 900 MHz  
LOW NF: 1.1 dB TYP AT 900 MHz  
LG1 = 1.0 µm, LG2 = 1.5 µm, WG = 400 µm  
ION IMPLANTATION  
VG2S = 1 V  
VG2S = 0.5 V  
VG2S = 2 V  
ID = 10 mA  
5
f = 900 MHz  
AVAILABLE IN TAPE & REEL OR BULK  
NF  
0
0
0
5
10  
DESCRIPTION  
Drain to Source Voltage, VDS (V)  
The NE251 is a dual gate GaAs FET designed to provide  
flexibility in its application as a mixer, AGC amplifier, or low  
noise amplifier. As an example, by shorting the second gate  
tothesource, highergaincanberealizedthanwithsinglegate  
MESFETs. This device is available in a mini-mold (surface  
mount) package.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE25139  
PACKAGE OUTLINE  
39  
SYMBOL  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
NF  
Noise Figure at VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA,  
f = 900 MHz  
dB  
dB  
1.1  
20  
2.5  
GPS  
Power Gain at VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA,  
f = 900 MHz  
16  
BVDSX  
Drain to Source Breakdown Voltage at VG1S = -4 V,  
VG2S = 0, ID = 10 µA  
V
13  
5
IDSS  
Saturated Drain Current at VDS = 5 V, VG2S = 0 V, VG1S = 0 V  
mA  
20  
40  
VG1S (OFF)  
Gate 1 to Source Cutoff Voltage at VDS = 5 V,  
VG2S = 0 V, ID = 100 µA  
V
-3.5  
-3.5  
VG2S (OFF)  
Gate 2 to Source Cutoff Voltage at VDS = 5 V,  
VG1S = 0 V, ID = 100 µA  
V
IG1SS  
IG2SS  
|YFS|  
Gate 1 Reverse Current at VDS = 0, VG1S = -4V, VG2S = 0  
Gate 2 Reverse Current at VDS = 0, VG2S = -4V, VG1S = 0  
µA  
µA  
10  
10  
Forward Transfer Admittance at VDS = 5 V, VG2S = 1 V,  
ID = 10 mA, f = 1.0 kHz  
mS  
pF  
pF  
18  
25  
1.0  
35  
1.5  
CISS  
Input Capacitance at VDS = 5 V, VG2S = 1 V, ID = 10 mA,  
f = 1 MHz  
0.5  
CRSS  
Reverse Transfer Capacitance at VDS = 5 V, VG2S = 1 V,  
ID = 10 mA, f = 1 MHz  
0.02  
0.03  
California Eastern Laboratories  
1234567

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